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NVMTS4D3N15MC

NVMTS4D3N15MC onsemi

nvmts4d3n15mc-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
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Technische Details NVMTS4D3N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 292W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 292W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm.

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NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC onsemi nvmts4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
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NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC ONSEMI 3213466.pdf Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 292W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
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NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC ONSEMI 3213466.pdf Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 292W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 292W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
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NVMTS4D3N15MC onsemi nvmts4d3n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE
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tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
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