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NVMTS4D3N15MC

NVMTS4D3N15MC onsemi

nvmts4d3n15mc-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.46 EUR
10+10.5 EUR
50+8.38 EUR
100+7.7 EUR
500+7.54 EUR
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Technische Details NVMTS4D3N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 292W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 292W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm.

Weitere Produktangebote NVMTS4D3N15MC nach Preis ab 5.99 EUR bis 17.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC ONSEMI 3213466.pdf Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 292W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.65 EUR
17+13.76 EUR
21+10.28 EUR
50+8.89 EUR
100+7.5 EUR
250+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC ONSEMI 3213466.pdf Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 292W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 292W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.65 EUR
17+13.76 EUR
21+10.28 EUR
50+8.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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NVMTS4D3N15MC onsemi nvmts4d3n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE
auf Bestellung 3066 Stücke:
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1+13.57 EUR
10+9.28 EUR
100+7.08 EUR
500+7.06 EUR
1000+6.51 EUR
3000+5.99 EUR
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NVMTS4D3N15MC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 292W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
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Verlustleistung: 292W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
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