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NVMTS4D3N15MC

NVMTS4D3N15MC onsemi


nvmts4d3n15mc-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+5.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details NVMTS4D3N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 0.0034 ohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 292W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC Hersteller : onsemi nvmts4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.47 EUR
10+7.40 EUR
100+5.58 EUR
500+5.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC Hersteller : ONSEMI 3213466.pdf Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 0.0034 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC Hersteller : ONSEMI 3213466.pdf Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 0.0034 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 292W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVMTS4D3N15MC Hersteller : onsemi nvmts4d3n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE
auf Bestellung 4312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.79 EUR
10+7.62 EUR
25+7.20 EUR
100+6.42 EUR
250+6.25 EUR
500+6.16 EUR
1000+5.97 EUR
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NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC Hersteller : ON Semiconductor nvmts4d3n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin DFNW EP Reel
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NVMTS4D3N15MC Hersteller : ONSEMI nvmts4d3n15mc-d.pdf NVMTS4D3N15MC SMD N channel transistors
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