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NVMYS014N06CLTWG

NVMYS014N06CLTWG ON Semiconductor

nvmys014n06cl-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details NVMYS014N06CLTWG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG ON Semiconductor nvmys014n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG ON Semiconductor nvmys014n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG ONSEMI 2850041.pdf Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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114+2.05 EUR
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NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG ONSEMI 2850041.pdf Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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NVMYS014N06CLTWG ONSEMI 2850041.pdf Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Power MOSFET 60 V, 14.5m , 42 A, Single N-Channel LFPAK4(Pb Free)/ REEL 38AH7312
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
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Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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NVMYS014N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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NVMYS014N06CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Power MOSFET 60 V, 14.5m , 42 A, Single N-Channel LFPAK4(Pb Free)/ REEL 38AH7312
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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109+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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