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Technische Details NVMYS2D4N04CTWG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 138A, Power dissipation: 27W, Case: LFPAK56, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.3mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 829A, Gate charge: 32nC, Kind of package: reel; tape.
Weitere Produktangebote NVMYS2D4N04CTWG nach Preis ab 1.29 EUR bis 4.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NVMYS2D4N04CTWG | onsemi |
 MOSFETs Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A |
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| NVMYS2D4N04CTWG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A
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