| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.27 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| 3000+ | 1.26 EUR |
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Technische Details NVMYS2D4N04CTWG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56, Drain current: 138A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: LFPAK56, On-state resistance: 2.3mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 829A, Power dissipation: 27W, Gate charge: 32nC, Polarisation: unipolar.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMYS2D4N04CTWG | ON Semiconductor |
auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVMYS2D4N04CTWG |
Hersteller: ON Semiconductor
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