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NVMYS3D3N06CLTWG

NVMYS3D3N06CLTWG onsemi

nvmys3d3n06cl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Technische Details NVMYS3D3N06CLTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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NVMYS3D3N06CLTWG NVMYS3D3N06CLTWG Hersteller : onsemi nvmys3d3n06cl-d.pdf MOSFETs 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
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NVMYS3D3N06CLTWG NVMYS3D3N06CLTWG Hersteller : onsemi nvmys3d3n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.80 EUR
10+2.44 EUR
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1000+1.22 EUR
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NVMYS3D3N06CLTWG Hersteller : ON Semiconductor nvmys3d3n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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NVMYS3D3N06CLTWG Hersteller : ONSEMI nvmys3d3n06cl-d.pdf NVMYS3D3N06CLTWG SMD N channel transistors
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