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Technische Details NVMYS9D3N06CLTWG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 23W; LFPAK56, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 290A, Power dissipation: 23W, Case: LFPAK56, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 9.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote NVMYS9D3N06CLTWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NVMYS9D3N06CLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
 N-Channel Single Enhancement Mode Power MOSFET |
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| NVMYS9D3N06CLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 23W; LFPAK56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 290A Power dissipation: 23W Case: LFPAK56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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