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Technische Details NVR1P02T1G onsemi
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NVR1P02T1G nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NVR1P02T1G | onsemi |
MOSFETs AUTOMOTIVE MOSFET |
auf Bestellung 11423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVR1P02T1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3 |
auf Bestellung 7975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVR1P02T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVR1P02T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVR1P02T1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs AUTOMOTIVE MOSFET
MOSFETs AUTOMOTIVE MOSFET
auf Bestellung 11423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.74 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| NVR1P02T1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 0.88 EUR |
| 28+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| NVR1P02T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 275+ | 0.9 EUR |
| 405+ | 0.57 EUR |
| 610+ | 0.36 EUR |
| 715+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| NVR1P02T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 275+ | 0.9 EUR |
| 405+ | 0.57 EUR |
| 610+ | 0.36 EUR |
| 715+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |




