NVR4003NT3G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 0.69 EUR |
| 49+ | 0.43 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.2 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details NVR4003NT3G onsemi
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 560mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 830mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.
Weitere Produktangebote NVR4003NT3G nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NVR4003NT3G | onsemi |
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M |
auf Bestellung 78781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVR4003NT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
auf Bestellung 4136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NVR4003NT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
auf Bestellung 4136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| NVR4003NT3G | ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 pF @ 5 V, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Automotive,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
verfügbar 7 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVR4003NT3G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M
auf Bestellung 78781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| NVR4003NT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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| NVR4003NT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 pF @ 5 V, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Automotive,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 pF @ 5 V, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Automotive,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
verfügbar 7 Stücke: