NVR5124PLT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NVR5124PLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NVR5124PLT1G nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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NVR5124PLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVR5124PLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVR5124PLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVR5124PLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs T1 60V PCH |
auf Bestellung 225798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVR5124PLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 29464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVR5124PLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 73155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVR5124PLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 73155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVR5124PLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVR5124PLT1G | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVR5124PLT1G | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVR5124PLT1G | Hersteller : ONSEMI |
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NVR5124PLT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 NVR5124PLT1G TNVR5124pl Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NVR5124PLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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