| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.9 EUR |
| 11+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details NVR5198NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVR5198NLT1G nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NVR5198NLT1G | ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Gate charge: 5.1nC On-state resistance: 0.205Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Application: automotive industry |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVR5198NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVR5198NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVR5198NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVR5198NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVR5198NLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 95+ | 0.9 EUR |
| NVR5198NLT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.19 EUR |
| 29+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| NVR5198NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 185+ | 1.36 EUR |
| 243+ | 0.96 EUR |
| 391+ | 0.55 EUR |
| 511+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| NVR5198NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 185+ | 1.36 EUR |
| 243+ | 0.96 EUR |
| 391+ | 0.55 EUR |
| 511+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| NVR5198NLT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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