| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.05 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.16 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| 1500+ | 1.55 EUR |
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Technische Details NVTFS002N04CLTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 2200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 85W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.
Weitere Produktangebote NVTFS002N04CLTAG nach Preis ab 2.34 EUR bis 5.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NVTFS002N04CLTAG | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS002N04CLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 2200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 85W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| NVTFS002N04CLTAG | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVTFS002N04CLTAG |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.03 EUR |
| 10+ | 3.35 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| NVTFS002N04CLTAG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 2200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 2200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NVTFS002N04CLTAG |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)