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NVTFS020N06CTAG

NVTFS020N06CTAG ON Semiconductor

nvtfs020n06c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NVTFS020N06CTAG ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

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NVTFS020N06CTAG NVTFS020N06CTAG Hersteller : onsemi NVTFS020N06C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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NVTFS020N06CTAG NVTFS020N06CTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs020n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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NVTFS020N06CTAG NVTFS020N06CTAG Hersteller : onsemi NVTFS020N06C-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A Active OPN
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NVTFS020N06CTAG NVTFS020N06CTAG Hersteller : onsemi NVTFS020N06C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
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Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
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NVTFS020N06CTAG Hersteller : ONSEMI NVTFS020N06C-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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