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NVTFS4C02NTAG

NVTFS4C02NTAG onsemi

nvtfs4c02n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.75 EUR
3000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details NVTFS4C02NTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG ON Semiconductor nvtfs4c02n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.7 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG ONSEMI 3191530.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
115+2.03 EUR
121+1.78 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG ONSEMI 3191530.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.65 EUR
115+2.03 EUR
121+1.78 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG onsemi NVTFS4C02N-D.PDF MOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
500+2 EUR
1000+1.87 EUR
1500+1.71 EUR
3000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG onsemi nvtfs4c02n-d.pdf Description: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 11943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+3.55 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
244+2.7 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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NVTFS4C02NTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.65 EUR
115+2.03 EUR
121+1.78 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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NVTFS4C02NTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.65 EUR
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121+1.78 EUR
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auf Bestellung 1009 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.61 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
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1000+1.87 EUR
1500+1.71 EUR
3000+1.7 EUR
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NVTFS4C02NTAG nvtfs4c02n-d.pdf
NVTFS4C02NTAG
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 11943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.45 EUR
10+3.55 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH