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NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG onsemi

NVTFS4C05N_D-1814656.pdf Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
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Technische Details NVTFS4C05NWFTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG Hersteller : ONSEMI NVTFS4C05N-D.PDF Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG Hersteller : ONSEMI NVTFS4C05N-D.PDF Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
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NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG Hersteller : ON Semiconductor NVTFS4C05N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
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NVTFS4C05NWFTAG Hersteller : ON Semiconductor NVTFS4C05N-D.PDF
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NVTFS4C05NWFTAG Hersteller : ON Semiconductor NVTFS4C05N-D-515622.pdf MOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
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NVTFS4C05NWFTAG Hersteller : ONSEMI NVTFS4C05N-D.PDF NVTFS4C05NWFTAG SMD N channel transistors
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