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Technische Details NVTFS4C05NWFTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NVTFS4C05NWFTAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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NVTFS4C05NWFTAG | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NVTFS4C05NWFTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS4C05NWFTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL |
auf Bestellung 28500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C05NWFTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
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| NVTFS4C05NWFTAG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Pulsed drain current: 433A Power dissipation: 34W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NVTFS4C05NWFTAG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Pulsed drain current: 433A Power dissipation: 34W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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