| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.68 EUR |
| 10+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
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Technische Details NVTFS4C13NETAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 26W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm.
Weitere Produktangebote NVTFS4C13NETAG nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NVTFS4C13NETAG | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFNDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS4C13NETAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 26W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NETAG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 13+ | 1.68 EUR |
| 21+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| NVTFS4C13NETAG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 2.06 EUR |
| 194+ | 1.2 EUR |
| 298+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |