NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NVTFS4C13NTAG nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NVTFS4C13NTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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NVTFS4C13NTAG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
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NVTFS4C13NTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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NVTFS4C13NTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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NVTFS4C13NTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVTFS4C13NTAG | Hersteller : ONSEMI |
NVTFS4C13NTAG SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVTFS4C13NTAG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVTFS4C13NTAG | Hersteller : onsemi |
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm |
Produkt ist nicht verfügbar |