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Technische Details NVTFS4C25NTAG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 22.1A, Pulsed drain current: 90A, Power dissipation: 8.6W, Case: WDFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 10.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote NVTFS4C25NTAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NVTFS4C25NTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVTFS4C25NTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL |
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| NVTFS4C25NTAG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22.1A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 8.6W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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