| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.23 EUR |
| 10+ | 1.12 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 1500+ | 0.73 EUR |
| 3000+ | 0.62 EUR |
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Technische Details NVTFS4C25NTAG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8, Pulsed drain current: 90A, Power dissipation: 8.6W, Gate charge: 10.3nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 22.1A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: WDFN8, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote NVTFS4C25NTAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS4C25NTAG | ON Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVTFS4C25NTAG | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8 Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 8.6W Gate charge: 10.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 22.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
NVTFS4C25NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVTFS4C25NTAG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| NVTFS4C25NTAG |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Gate charge: 10.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Gate charge: 10.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
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| NVTFS4C25NTAG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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