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NVTFS4C25NWFTAG

NVTFS4C25NWFTAG onsemi


001F7CBBB24050120BE57BD357FAD05BEFB592C09430FAAE21A345924F27EC92.pdf Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
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Technische Details NVTFS4C25NWFTAG onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 22.1A, Pulsed drain current: 90A, Power dissipation: 8.6W, Case: WDFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 10.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVTFS4C25NWFTAG NVTFS4C25NWFTAG Hersteller : ON Semiconductor NVTFS4C25N-D-601539.pdf MOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
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NVTFS4C25NWFTAG NVTFS4C25NWFTAG Hersteller : ON Semiconductor NVTFS4C25N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
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NVTFS4C25NWFTAG Hersteller : ONSEMI NVTFS4C25N-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22.1A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NVTFS4C25NWFTAG Hersteller : ONSEMI NVTFS4C25N-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22.1A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Case: WDFN8
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On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: reel; tape
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