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NVTFS5116PLTAG

NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor

nvtfs5116pl-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3.2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.64 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.7 EUR
3000+0.64 EUR
4500+0.62 EUR
7500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.76 EUR
235+0.74 EUR
246+0.69 EUR
250+0.67 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.96 EUR
233+0.73 EUR
235+0.69 EUR
246+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG onsemi NVTFS5116PL_D-2319932.pdf MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
auf Bestellung 13493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.32 EUR
100+1.04 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.75 EUR
1500+0.7 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.69 EUR
83+1.02 EUR
101+0.84 EUR
110+0.77 EUR
200+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
146+1.59 EUR
167+1.29 EUR
200+1.11 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
147+1.58 EUR
168+1.27 EUR
200+1.09 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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NVTFS5116PLTAG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTAG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.64 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS5116PLTAG
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.7 EUR
3000+0.64 EUR
4500+0.62 EUR
7500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS5116PLTAG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+0.76 EUR
235+0.74 EUR
246+0.69 EUR
250+0.67 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTAG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
183+0.96 EUR
233+0.73 EUR
235+0.69 EUR
246+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTAG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PL_D-2319932.pdf
NVTFS5116PLTAG
Hersteller: onsemi
MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
auf Bestellung 13493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.62 EUR
10+1.32 EUR
100+1.04 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.75 EUR
1500+0.7 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTAG
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+1.69 EUR
83+1.02 EUR
101+0.84 EUR
110+0.77 EUR
200+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTAG
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.49 EUR
14+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS5116PLTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
146+1.59 EUR
167+1.29 EUR
200+1.11 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS5116PLTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.88 EUR
147+1.58 EUR
168+1.27 EUR
200+1.09 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH