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NVTFS5116PLTAG

NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor

nvtfs5116pl-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.57 EUR
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.75 EUR
195+0.72 EUR
234+0.57 EUR
250+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2360 Stücke:
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161+0.9 EUR
193+0.72 EUR
195+0.69 EUR
234+0.55 EUR
250+0.52 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 161
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : onsemi NVTFS5116PL_D-2319932.pdf MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
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10+1.11 EUR
100+0.87 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.59 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
71+1.02 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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71+1.02 EUR
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.11 EUR
13+1.38 EUR
100+0.95 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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