Produkte > ON SEMICONDUCTOR > NVTFS5116PLTAG
NVTFS5116PLTAG

NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor

nvtfs5116pl-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote NVTFS5116PLTAG nach Preis ab 0.40 EUR bis 2.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.64 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.77 EUR
195+0.73 EUR
234+0.59 EUR
250+0.56 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
161+0.92 EUR
193+0.74 EUR
195+0.70 EUR
234+0.56 EUR
250+0.53 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 161
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : onsemi NVTFS5116PL_D-2319932.pdf MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
auf Bestellung 13493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.36 EUR
10+1.11 EUR
100+0.87 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.59 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
71+1.02 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
71+1.02 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.11 EUR
13+1.38 EUR
100+0.95 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH