NVTFS5116PLTWG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 0.72 EUR |
| 10000+ | 0.69 EUR |
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Technische Details NVTFS5116PLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NVTFS5116PLTWG nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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NVTFS5116PLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS5116PLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS5116PLTWG | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm |
auf Bestellung 3776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS5116PLTWG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 17403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS5116PLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS5116PLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS5116PLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVTFS5116PLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R |
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| NVTFS5116PLTWG | Hersteller : ONSEMI |
NVTFS5116PLTWG SMD P channel transistors |
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