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Technische Details NVTFS5C658NLWFTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NVTFS5C658NLWFTAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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NVTFS5C658NLWFTAG | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NVTFS5C658NLWFTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF |
auf Bestellung 1258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS5C658NLWFTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5C658NLWFTAG | Hersteller : ONSEMI | NVTFS5C658NLWFTAG SMD N channel transistors |
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