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NVTFS6H850NTAG

NVTFS6H850NTAG ON Semiconductor

nvtfs6h850n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details NVTFS6H850NTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG onsemi nvtfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.8 EUR
3000+0.74 EUR
4500+0.7 EUR
7500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.84 EUR
212+0.82 EUR
230+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.94 EUR
210+0.81 EUR
212+0.77 EUR
230+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
661+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 661 Stücke
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG onsemi NVTFS6H850N-D.PDF MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.4 EUR
100+1.02 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
1500+0.77 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG ONSEMI 2571971.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
135+1.73 EUR
185+1.15 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG ONSEMI 2571971.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
135+1.73 EUR
185+1.15 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG onsemi nvtfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NVTFS6H850NTAG
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.8 EUR
3000+0.74 EUR
4500+0.7 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+0.84 EUR
212+0.82 EUR
230+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+0.94 EUR
210+0.81 EUR
212+0.77 EUR
230+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
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NVTFS6H850NTAG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
661+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 661 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS6H850NTAG
Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.07 EUR
10+1.4 EUR
100+1.02 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
1500+0.77 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NVTFS6H850NTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.75 EUR
135+1.73 EUR
185+1.15 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAG 2571971.pdf
NVTFS6H850NTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.75 EUR
135+1.73 EUR
185+1.15 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NVTFS6H850NTAG
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH