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NVTFS6H850NTAG

NVTFS6H850NTAG ON Semiconductor

nvtfs6h850n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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Technische Details NVTFS6H850NTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : onsemi nvtfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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1500+0.66 EUR
3000+0.58 EUR
4500+0.57 EUR
7500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
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Anzahl Preis
210+0.69 EUR
212+0.66 EUR
230+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 210
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
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187+0.78 EUR
210+0.66 EUR
212+0.63 EUR
230+0.56 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 187
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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Mindestbestellmenge: 1500
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : onsemi NVTFS6H850N-D.PDF MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
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10+1.18 EUR
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1500+0.65 EUR
3000+0.59 EUR
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : onsemi nvtfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 106556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.8 EUR
15+1.22 EUR
100+0.87 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ONSEMI 2571971.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ONSEMI 2571971.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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NVTFS6H850NTAG Hersteller : ONSEMI nvtfs6h850n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 68A; Idm: 300A; 53W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 53W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVTFS6H850NTAG Hersteller : ONSEMI nvtfs6h850n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 68A; Idm: 300A; 53W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 53W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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