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NVTFS6H850NTAG

NVTFS6H850NTAG onsemi

nvtfs6h850n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.71 EUR
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Technische Details NVTFS6H850NTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.85 EUR
175+0.81 EUR
199+0.68 EUR
250+0.66 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
155+0.95 EUR
173+0.82 EUR
175+0.78 EUR
199+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 155
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : onsemi NVTFS6H850N_D-2319935.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 608-612 Tag (e)
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10+1.33 EUR
100+1.03 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : onsemi nvtfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.06 EUR
13+1.42 EUR
100+0.98 EUR
500+0.83 EUR
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ONSEMI 2571971.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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NVTFS6H850NTAG Hersteller : ONSEMI nvtfs6h850n-d.pdf NVTFS6H850NTAG SMD N channel transistors
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