| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.12 EUR |
| 10+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 1500+ | 0.44 EUR |
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Technische Details NVTFS6H860NTAG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; Idm: 119A; 23W; WDFN8, Pulsed drain current: 119A, Power dissipation: 23W, Gate charge: 8.7nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 30A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: WDFN8, On-state resistance: 21.1mΩ, Mounting: SMD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NVTFS6H860NTAG | ON Semiconductor |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NVTFS6H860NTAG |
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