| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.12 EUR |
| 10+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 1500+ | 0.44 EUR |
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Technische Details NVTFS6H860NTAG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; Idm: 119A; 23W; WDFN8, Pulsed drain current: 119A, Power dissipation: 23W, Gate charge: 8.7nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 30A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: WDFN8, On-state resistance: 21.1mΩ, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote NVTFS6H860NTAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NVTFS6H860NTAG | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; Idm: 119A; 23W; WDFN8 Pulsed drain current: 119A Power dissipation: 23W Gate charge: 8.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 On-state resistance: 21.1mΩ Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
NVTFS6H860NTAG | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVTFS6H860NTAG |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; Idm: 119A; 23W; WDFN8
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 23W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 21.1mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; Idm: 119A; 23W; WDFN8
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 23W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 21.1mΩ
Mounting: SMD
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| NVTFS6H860NTAG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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