Produkte > ONSEMI > NVTFS6H860NTAG
NVTFS6H860NTAG

NVTFS6H860NTAG onsemi

nvtfs6h860n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
4500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVTFS6H860NTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote NVTFS6H860NTAG nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVTFS6H860NTAG NVTFS6H860NTAG Hersteller : onsemi NVTFS6H860N_D-2319822.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 826-830 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.06 EUR
10+0.92 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAG NVTFS6H860NTAG Hersteller : onsemi nvtfs6h860n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.5 EUR
19+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h860n-d.pdf
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAG NVTFS6H860NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h860n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAG NVTFS6H860NTAG Hersteller : ON Semiconductor nvtfs6h860n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH