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NVTFS6H888NLTAG

NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor

nvtfs6h888nl-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 23W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 94500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
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NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG onsemi nvtfs6h888nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.51 EUR
3000+0.48 EUR
4500+0.45 EUR
7500+0.43 EUR
10500+0.42 EUR
15000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+0.52 EUR
376+0.46 EUR
380+0.45 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 340 Stücke
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NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1495 Stücke:
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313+0.56 EUR
338+0.51 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
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NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+0.57 EUR
337+0.5 EUR
340+0.48 EUR
376+0.42 EUR
380+0.39 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG onsemi nvtfs6h888nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 85442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ONSEMI 3005771.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 23W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
177+1.32 EUR
269+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ONSEMI 3005771.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
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3000+0.48 EUR
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10500+0.42 EUR
15000+0.39 EUR
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376+0.46 EUR
380+0.45 EUR
500+0.37 EUR
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auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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338+0.51 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
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auf Bestellung 649 Stücke:
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312+0.57 EUR
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376+0.42 EUR
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NVTFS6H888NLTAG
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 85442 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
11+1.93 EUR
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NVTFS6H888NLTAG 3005771.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 23W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 322 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
110+2.28 EUR
177+1.32 EUR
269+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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NVTFS6H888NLTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 23W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 322 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
110+2.28 EUR
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