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NVTFS9D6P04M8LTAG

NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi

nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.01 EUR
3000+0.95 EUR
7500+0.91 EUR
10500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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Technische Details NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
10+1.88 EUR
100+1.47 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : onsemi NVTFS9D6P04M8L_D-2319682.pdf MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
auf Bestellung 3076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.95 EUR
100+1.48 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.02 EUR
1500+0.96 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : ONSEMI nvtfs9d6p04m8l-d.pdf NVTFS9D6P04M8LTAG SMD P channel transistors
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