Technische Details NVTFS9D6P04M8LTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.
Weitere Produktangebote NVTFS9D6P04M8LTAG nach Preis ab 1.08 EUR bis 4.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NVTFS9D6P04M8LTAG | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFNRds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 75W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm |
auf Bestellung 2441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | onsemi |
MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM |
auf Bestellung 9985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 39637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 75W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm |
auf Bestellung 2441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS9D6P04M8LTAG | ONN |
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auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVTFS9D6P04M8LTAG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.17 EUR |
| 3000+ | 1.08 EUR |
| NVTFS9D6P04M8LTAG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.62 EUR |
| NVTFS9D6P04M8LTAG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.64 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| NVTFS9D6P04M8LTAG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 200+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| NVTFS9D6P04M8LTAG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
auf Bestellung 9985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.89 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| NVTFS9D6P04M8LTAG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 39637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.11 EUR |
| 10+ | 2.63 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| NVTFS9D6P04M8LTAG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 4.43 EUR |
| 88+ | 2.64 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| NVTFS9D6P04M8LTAG |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)