NVTFS9D6P04M8LTAG ON Semiconductor
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Technische Details NVTFS9D6P04M8LTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NVTFS9D6P04M8LTAG nach Preis ab 0.8 EUR bis 2.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 12849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : onsemi |
MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM |
auf Bestellung 3076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVTFS9D6P04M8LTAG | Hersteller : ONSEMI |
NVTFS9D6P04M8LTAG SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |