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NX1029XH

NX1029XH Nexperia


NX1029X-1596178.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET NRND for Automotive Applications NX1029X/SOT666/SOT6
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Technische Details NX1029XH Nexperia

Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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NX1029XH NX1029XH Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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NX1029XH NX1029XH Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
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NX1029XH NX1029XH Hersteller : NEXPERIA nx1029x.pdf N/P-channel Trench MOSFET
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NX1029XH NX1029XH Hersteller : Nexperia nx1029x.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
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