NX138BKR Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NX138BKR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NX138BKR - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NX138BKR nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NX138BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX138BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX138BKR | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs NX138BK/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 15011 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NX138BKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V |
auf Bestellung 6868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NX138BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138BKR - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NX138BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138BKR - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX138BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX138BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX138BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX138BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 0.31W; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 0.49nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX138BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 0.31W; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 0.49nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB |
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