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NX3008NBKMB,315

NX3008NBKMB,315 Nexperia


nx3008nbkmb.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN-B T/R
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Technische Details NX3008NBKMB,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NX3008NBKMB,315 NX3008NBKMB,315 Hersteller : Nexperia nx3008nbkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN-B T/R
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NX3008NBKMB,315 NX3008NBKMB,315 Hersteller : Nexperia NX3008NBKMB.pdf MOSFETs SOT883 N-CH 30V .53A
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NX3008NBKMB,315 NX3008NBKMB,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008NBKMB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
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5000+0.081 EUR
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NX3008NBKMB,315 NX3008NBKMB,315 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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NX3008NBKMB,315 NX3008NBKMB,315 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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NX3008NBKMB,315 Hersteller : NEXPERIA NX3008NBKMB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 530mA; 715mW; DFN1006-3,SOT883; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.53A
Power dissipation: 715mW
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: 8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET
Application: automotive industry
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Mindestbestellmenge: 10000
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NX3008NBKMB,315 Hersteller : NXP Semiconductors NX3008NBKMB.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN T/R
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NX3008NBKMB,315 NX3008NBKMB,315 Hersteller : Nexperia nx3008nbkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN-B T/R
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NX3008NBKMB,315 NX3008NBKMB,315 Hersteller : NEXPERIA 3892527331823284nx3008nbkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
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NX3008NBKMB,315 NX3008NBKMB,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008NBKMB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
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