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Technische Details NX3008NBKMB,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NX3008NBKMB,315 nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.37 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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NX3008NBKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX3008NBKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs NX3008NBKMB/SOT883B/XQFN3 |
auf Bestellung 113306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NX3008NBKMB,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V |
auf Bestellung 18173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NX3008NBKMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX3008NBKMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX3008NBKMB,315 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 850580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX3008NBKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN-B T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NX3008NBKMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NX3008NBKMB,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V |
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