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NX3008PBK.215

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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia 2119240139958250nx3008pbk.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia 2119240139958250nx3008pbk.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia 2119240139958250nx3008pbk.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia 2119240139958250nx3008pbk.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia 2119240139958250nx3008pbk.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia 2119240139958250nx3008pbk.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : NEXPERIA 1508394.pdf Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia 2119240139958250nx3008pbk.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia 2119240139958250nx3008pbk.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008PBK.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008PBK.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Hersteller : Nexperia NX3008PBK.pdf MOSFETs NX3008PBK/SOT23/TO-236AB
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