NX3008PBK,215 Nexperia
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Technische Details NX3008PBK,215 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote NX3008PBK,215 nach Preis ab 0.028 EUR bis 0.23 EUR
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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NX3008PBK.215 Produktcode: 118882
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±8V Drain current: -230mA Gate charge: 0.72nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.1Ω Power dissipation: 0.42W Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs NX3008PBK/SOT23/TO-236AB |
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NX3008PBK,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±8V Drain current: -230mA Gate charge: 0.72nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.1Ω Power dissipation: 0.42W Type of transistor: P-MOSFET |
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