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NX3020NAKV,115

NX3020NAKV,115 Nexperia

nx3020nakv.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details NX3020NAKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 4.5 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 375mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Hersteller : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3020NAKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
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8000+0.13 EUR
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20000+0.11 EUR
40000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Hersteller : NEXPERIA NX3020NAKV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SOT666
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.12A
Gate charge: 0.44nC
Power dissipation: 375mW
On-state resistance: 9.2Ω
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 765 Stücke:
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Anzahl Preis
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197+0.36 EUR
240+0.3 EUR
325+0.22 EUR
407+0.18 EUR
544+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Hersteller : Nexperia NX3020NAKV.pdf MOSFETs NX3020NAKV/SOT666/SOT6
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5+0.64 EUR
10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
4000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3020NAKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
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Anzahl Preis
28+0.65 EUR
44+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 375mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Hersteller : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Hersteller : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
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