auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 985+ | 0.15 EUR |
| 1365+ | 0.1 EUR |
| 3000+ | 0.091 EUR |
| 6000+ | 0.075 EUR |
| 15000+ | 0.059 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NX3020NAKV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 375mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote NX3020NAKV,115 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NX3020NAKV,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3020NAKV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 375mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 |
auf Bestellung 324000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3020NAKV,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT666 2NCH 30V .2A |
auf Bestellung 1945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3020NAKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 0.44nC Drain current: 0.12A Power dissipation: 375mW Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 9.2Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: SOT666 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 0.44nC Drain current: 0.12A Power dissipation: 375mW Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 9.2Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: SOT666 |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 375mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 |
auf Bestellung 325928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3020NAKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 375mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 375mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |