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Technische Details NX7002BKMYL Nexperia
Description: NEXPERIA - NX7002BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote NX7002BKMYL nach Preis ab 0.034 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NX7002BKMYL | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R |
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NX7002BKMYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
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NX7002BKMYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
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NX7002BKMYL | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs NX7002BKM/SOT883/XQFN3 |
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NX7002BKMYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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NX7002BKMYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX7002BKMYL | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R |
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| NX7002BKMYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.9A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.9A Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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