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Technische Details NX7002BKXBZ Nexperia
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 285mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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NX7002BKXBZ | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 6-Pin DFN-B EP T/R |
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NX7002BKXBZ | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs NX7002BKXB/SOT1216/DFN1010B-6 |
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NX7002BKXBZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 285mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
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NX7002BKXBZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 285mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NX7002BKXBZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 285mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NX7002BKXBZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NX7002BKXBZ | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NX7002BKXBZ | Hersteller : NEXPERIA |
NX7002BKXBZ Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NX7002BKXBZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 285mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
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