NXH004P120M3F2PTHG onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
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Technische Details NXH004P120M3F2PTHG onsemi
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 284A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 785W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.
Weitere Produktangebote NXH004P120M3F2PTHG nach Preis ab 331.46 EUR bis 405.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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NXH004P120M3F2PTHG | onsemi |
MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NXH004P120M3F2PTHG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 284A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 785W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NXH004P120M3F2PTHG |
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Hersteller: onsemi
MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 348.99 EUR |
| 10+ | 331.46 EUR |
| NXH004P120M3F2PTHG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 284A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 785W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 785W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 405.41 EUR |
| 5+ | 368.94 EUR |
| 10+ | 333.59 EUR |