NXH007F120M3F2PTHG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 353W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 241.65 EUR |
| 20+ | 235.49 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NXH007F120M3F2PTHG onsemi
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 353W, Bauform - Transistor: PIM, Anzahl der Pins: 34Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NXH007F120M3F2PTHG nach Preis ab 249.15 EUR bis 274.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH007F120M3F2PTHG | Hersteller : onsemi |
MOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||
| NXH007F120M3F2PTHG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 353W Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 34Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||
| NXH007F120M3F2PTHG | Hersteller : ON Semiconductor |
SiliconCarbide Module MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |