auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 195.99 EUR |
| 10+ | 181.53 EUR |
| 20+ | 174.84 EUR |
| 60+ | 172.76 EUR |
| 100+ | 170.67 EUR |
| 260+ | 169.01 EUR |
| 500+ | 168.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NXH008T120M3F2PTHG onsemi
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 371W, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 29Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NXH008T120M3F2PTHG nach Preis ab 249.98 EUR bis 254.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH008T120M3F2PTHG | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIMPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 371W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9129pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 100A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5) |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
| NXH008T120M3F2PTHG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 371W Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 29Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |