NXH010P120M3F1PG onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 133.08 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NXH010P120M3F1PG onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 272W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA.
Weitere Produktangebote NXH010P120M3F1PG nach Preis ab 148.73 EUR bis 170.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH010P120M3F1PG | onsemi |
MOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| NXH010P120M3F1PG |
|
Hersteller: onsemi
MOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
MOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 170.19 EUR |
| 10+ | 148.73 EUR |