NXH020F120MNF1PTG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 232.36 EUR |
| 28+ | 208.68 EUR |
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Technische Details NXH020F120MNF1PTG onsemi
Description: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NXH020F120MNF1PTG nach Preis ab 242.99 EUR bis 253.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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NXH020F120MNF1PTG | Hersteller : onsemi |
MOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXH020F120MNF1PTG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXH020F120MNF1PTG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NXH020F120MNF1PTG | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 51A Case: PIM22 Topology: H-bridge Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 31mΩ Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 211W Technology: SiC Gate-source voltage: -15...25V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |