NXH020U90MNF2PTG onsemi
Hersteller: onsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Modules, Vienna Module 900V, 2 x 10 mohm SiC MOSFET, 1200V, 2 x 100A, F2 Package
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Technische Details NXH020U90MNF2PTG onsemi
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module, tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul, euEccn: NLR, Verlustleistung: 352, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 20, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul euEccn: NLR Verlustleistung: 352 Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : onsemi |
Description: SIC 2N-CH 900V 149A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 352W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : ON Semiconductor |
SiC Modules, Vienna Module SiC MOSFET |
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| NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 900V Drain current: 149A Case: PIM20 Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 10mΩ Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 352W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...18V Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 900V Drain current: 149A Case: PIM20 Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 10mΩ Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 352W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...18V Mechanical mounting: screw |
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