NXH020U90MNF2PTG ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details NXH020U90MNF2PTG ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul, tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul, euEccn: NLR, Verlustleistung: 352W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NXH020U90MNF2PTG nach Preis ab 275.85 EUR bis 319.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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NXH020U90MNF2PTG | onsemi |
MOSFET Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NXH020U90MNF2PTG | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 900V 149A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 352W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXH020U90MNF2PTG |
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Hersteller: onsemi
MOSFET Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER
MOSFET Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 313.3 EUR |
| 10+ | 312.01 EUR |
| NXH020U90MNF2PTG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Description: MOSFET 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 319.31 EUR |
| 20+ | 275.85 EUR |