NXH020U90MNF2PTG onsemi
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Technische Details NXH020U90MNF2PTG onsemi
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul, tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul, euEccn: NLR, Verlustleistung: 352W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NXH020U90MNF2PTG nach Preis ab 267.27 EUR bis 267.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 900V 149APackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 352W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA |
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NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul euEccn: NLR Verlustleistung: 352W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : ON Semiconductor |
SiC Modules, Vienna Module SiC MOSFET |
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| NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 900V Drain current: 149A Case: PIM20 Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 10mΩ Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 352W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...18V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NXH020U90MNF2PTG | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 900V Drain current: 149A Case: PIM20 Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 10mΩ Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 352W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...18V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw |
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