NXH100B120H3Q0SG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 103.66 EUR |
| 24+ | 78.98 EUR |
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Technische Details NXH100B120H3Q0SG onsemi
Description: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V, Dauer-Kollektorstrom: 61A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V, Verlustleistung Pd: 186W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 186W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 61A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NXH100B120H3Q0SG nach Preis ab 85.66 EUR bis 108.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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| NXH100B120H3Q0SG | Hersteller : onsemi |
Discrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXH100B120H3Q0SG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V Dauer-Kollektorstrom: 61A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V Verlustleistung Pd: 186W euEccn: NLR Verlustleistung: 186W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EliteSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 61A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |