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Technische Details NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V, Dauer-Kollektorstrom: 303A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V, Verlustleistung Pd: 592W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 592W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 303A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NXH350N100H4Q2F2P1G | onsemi |
 Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIMPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47) IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 303 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Power - Max: 276 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NXH350N100H4Q2F2P1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V Dauer-Kollektorstrom: 303A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V Verlustleistung Pd: 592W euEccn: NLR Verlustleistung: 592W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV Produktpalette: EliteSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 303A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| NXH350N100H4Q2F2P1G |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
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| NXH350N100H4Q2F2P1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
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IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
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Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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