NXH350N100H4Q2F2S1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NXH350N100H4Q2F2S1G onsemi
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V, Verlustleistung Pd: 592W, Verlustleistung: 592W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV, Dauerkollektorstrom: 303A, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 303A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote NXH350N100H4Q2F2S1G nach Preis ab 267.75 EUR bis 325.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH350N100H4Q2F2S1G | onsemi |
IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||
| NXH350N100H4Q2F2S1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V Verlustleistung Pd: 592W Verlustleistung: 592W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV Dauerkollektorstrom: 303A Produktpalette: EliteSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 303A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| NXH350N100H4Q2F2S1G |
|
Hersteller: onsemi
IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 320.8 EUR |
| 12+ | 318.49 EUR |
| NXH350N100H4Q2F2S1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
Verlustleistung: 592W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 303A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
Verlustleistung: 592W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 303A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 325.39 EUR |
| 5+ | 296.12 EUR |
| 10+ | 267.75 EUR |