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Technische Details NXH40B120MNQ1SNG onsemi
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Dreifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NXH40B120MNQ1SNG nach Preis ab 250 EUR bis 266.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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NXH40B120MNQ1SNG | Hersteller : onsemi |
 Description: 30KW Q1BOOST FULL SICPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Triple, Dual - Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4) Power - Max: 156 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V |
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| NXH40B120MNQ1SNG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Dreifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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