NXH50C120L2C2ESG ONSEMI

Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: DIP, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 26Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).