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NXH50C120L2C2ESG

NXH50C120L2C2ESG onsemi


nxh50c120l2c2-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
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Technische Details NXH50C120L2C2ESG onsemi

Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: DIP, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 26Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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NXH50C120L2C2ESG NXH50C120L2C2ESG Hersteller : ONSEMI 3005775.pdf Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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NXH50C120L2C2ESG Hersteller : onsemi NXH50C120L2C2_D-2319650.pdf IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB
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NXH50C120L2C2ESG NXH50C120L2C2ESG Hersteller : ON Semiconductor nxh50c120l2c2-d.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube
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