Produkte > ONSEMI > NXH80B120MNQ0SNG
NXH80B120MNQ0SNG

NXH80B120MNQ0SNG onsemi

nxh80b120mnq0-d.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFET Modules 50KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+104.93 EUR
10+89.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NXH80B120MNQ0SNG onsemi

Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote NXH80B120MNQ0SNG nach Preis ab 87.06 EUR bis 114.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NXH80B120MNQ0SNG onsemi nxh80b120mnq0-d.pdf Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.01 EUR
24+87.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120MNQ0SNG ONSEMI NXH80B120MNQ0-D.PDF Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120MNQ0SNG nxh80b120mnq0-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+114.01 EUR
24+87.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH80B120MNQ0SNG NXH80B120MNQ0-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH