NXH80T120L2Q0S2G ONSEMI

Description: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V, Dauer-Kollektorstrom: 67A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V, Verlustleistung Pd: 158mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158mW, Bauform - Transistor: PIM, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 67A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.