NXH80T120L2Q0S2G ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
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Technische Details NXH80T120L2Q0S2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V, Dauer-Kollektorstrom: 67A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V, Verlustleistung Pd: 158mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158mW, Bauform - Transistor: PIM, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 67A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NXH80T120L2Q0S2G nach Preis ab 87.06 EUR bis 109.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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| NXH80T120L2Q0S2G | Hersteller : onsemi |
Description: PIM 1200V 80A TNPC STAND Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5) IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 158 W Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXH80T120L2Q0S2G | Hersteller : onsemi |
IGBT Modules PIM 1200V, 80A TNPC STANDARD PINOUT |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXH80T120L2Q0S2G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NXH80T120L2Q0S2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 67A 158000mW 20-Pin Q0PACK Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |