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NXPSC046506Q

NXPSC046506Q WeEn Semiconductors

NXPSC04650-1499426.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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Technische Details NXPSC046506Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 4A, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns.

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NXPSC046506Q NXPSC046506Q Hersteller : WeEn Semiconductors nxpsc04650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
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NXPSC046506Q NXPSC046506Q Hersteller : WeEn Semiconductors nxpsc04650.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
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