NXPSC04650Q WeEn Semiconductors
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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25+ | 2.86 EUR |
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Technische Details NXPSC04650Q WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: -nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote NXPSC04650Q nach Preis ab 2.86 EUR bis 2.86 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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NXPSC04650Q | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Max. load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 24A Max. forward voltage: 1.5V |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXPSC04650Q | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: -nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXPSC04650Q | Hersteller : Ween | Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NXPSC04650Q | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V |
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NXPSC04650Q | Hersteller : WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |