
NXPSC106506Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 8.94 EUR |
50+ | 5.10 EUR |
100+ | 4.71 EUR |
500+ | 4.26 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NXPSC106506Q WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC106506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote NXPSC106506Q
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NXPSC106506Q | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
![]() |
NXPSC106506Q | Hersteller : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
NXPSC106506Q | Hersteller : WeEn Semiconductors |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
NXPSC106506Q | Hersteller : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |