Produkte > WEEN SEMICONDUCTORS > NXPSC10650D6J
NXPSC10650D6J

NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors


nxpsc10650d.pdf Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V.

Weitere Produktangebote NXPSC10650D6J nach Preis ab 4.45 EUR bis 9.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J Hersteller : WeEn Semiconductors nxpsc10650d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 9704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.38 EUR
10+6.59 EUR
100+4.94 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC10650D6J Hersteller : WeEn Semiconductors nxpsc10650d.pdf NXPSC10650D6J SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J Hersteller : WeEn Semiconductors NXPSC10650D-1382481.pdf Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH