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NXV08H350XT1

NXV08H350XT1 onsemi


NXV08H350XT1_D-3326454.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET Modules APM17-MDC, MV7 80V, ALN, 2 PHASE
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Technische Details NXV08H350XT1 onsemi

Description: MOSFET 80V APM17-MDC, Packaging: Bulk, Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.762mOhm @ 160A, 12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA, Supplier Device Package: APM17-MDC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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NXV08H350XT1 Hersteller : onsemi nxv08h350xt1-d.pdf Description: MOSFET 80V APM17-MDC
Packaging: Bulk
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.762mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NXV08H350XT1 Hersteller : ON Semiconductor nxv08h350xt1-d.pdf Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
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