Produkte > Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP > NZT660A
NZT660A

NZT660A

nzt660a-d.pdf
Produktcode: 25982
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote NZT660A nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NZT660A NZT660A ON Semiconductor nzt660ad.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1519+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A NZT660A ON Semiconductor nzt660ad.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1519+0.44 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A NZT660A onsemi nzt660a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
auf Bestellung 8575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A NZT660A onsemi nzt660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 3736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A NZT660A ONSEMI ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A NZT660A ONSEMI ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A Fairchild/ON Semiconductor NZT660A.pdf Транзистор PNP з низьким насищенням, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = -60, Ic = -3 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 75, hFE = 250...550 @ -500 mA, -2 V, Icutoff-max = -100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -0,5 @ -3 A, -300 mV, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2909 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A nzt660ad.pdf
NZT660A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1519+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A nzt660ad.pdf
NZT660A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1519+0.44 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A nzt660a-d.pdf
NZT660A
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
auf Bestellung 8575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.73 EUR
10+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A nzt660a-d.pdf
NZT660A
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 3736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NZT660A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NZT660A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NZT660A NZT660A.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор PNP з низьким насищенням, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = -60, Ic = -3 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 75, hFE = 250...550 @ -500 mA, -2 V, Icutoff-max = -100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -0,5 @ -3 A, -300 mV, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2909 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

OPA2378AIDCNR
Produktcode: 202498
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fopa2378

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Batterie CR123A Lithium 3V 1St. PKCELL
Produktcode: 165880
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Batterie CR123A Lithium 3V 1St. PKCELL
Hersteller: PKCELL
Batterien
Material: Lithium
Größe: CR123/CR123A
Spannung, V: 3 В
Bemerkung: Kapazität: 1500 mAh
Form: Zylindrisch
Kapazität, mAh: 1500 mAh
auf Bestellung 1904 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1920 St.:
1920 St. - erwartet 05.08.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH